Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET The part 3SK194 is a P-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by HITACHI. Below are the key specifications:

- **Type**: P-channel MOS FET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -50V
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: -5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on the typical characteristics and ratings provided by HITACHI for the 3SK194 transistor.