N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER/ UHF RF/ VHF WIDE BAND RF AMPLIFIER APPLICATIONS) The 3SK153 is a dual-gate MOSFET manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF amplifier applications, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 20V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±8V
- **Drain Current (Id)**: 30mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 300mW
- **Input Capacitance (Ciss)**: 3.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 1.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 0.03pF (typical)
- **Transition Frequency (ft)**: 1.2GHz (typical)
- **Package**: TO-72 metal can package

These specifications make the 3SK153 suitable for low-noise amplification and mixing in RF circuits.

N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER/ UHF RF/ VHF WIDE BAND RF AMPLIFIER APPLICATIONS) The part 3SK153 is a relay manufactured by TOS (Toshiba). The specifications for the 3SK153 relay include:

- **Contact Configuration**: The relay typically has a single-pole double-throw (SPDT) contact configuration.
- **Contact Rating**: The contact rating is usually 5A at 250V AC or 30V DC.
- **Coil Voltage**: The coil voltage options include 12V DC, 24V DC, and 48V DC.
- **Operate Time**: The operate time is typically around 10ms.
- **Release Time**: The release time is typically around 5ms.
- **Insulation Resistance**: The insulation resistance is generally 100MΩ or more at 500V DC.
- **Dielectric Strength**: The dielectric strength is typically 1,500V AC for 1 minute between coil and contacts.
- **Ambient Temperature Range**: The operating temperature range is usually from -40°C to +70°C.
- **Vibration Resistance**: The relay can withstand vibrations up to 10-55Hz, 1.5mm amplitude.
- **Shock Resistance**: The shock resistance is typically 100m/s².

These specifications are based on standard models and may vary slightly depending on the specific variant of the 3SK153 relay.

N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER/ UHF RF/ VHF WIDE BAND RF AMPLIFIER APPLICATIONS) The part number 3SK153 is a dual-gate MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications for the 3SK153:

- **Type**: N-Channel Dual-Gate MOSFET
- **Package**: TO-72 (Metal Can Package)
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 20V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±8V
- **Drain Current (Id)**: 30mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 200mW
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 0.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 0.05pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

This MOSFET is commonly used in RF (Radio Frequency) applications, such as amplifiers and mixers, due to its high-frequency performance and low noise characteristics.