RF AMP. FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD The **3SK135A** from NEC is a high-frequency, dual-gate MOSFET designed for use in RF and microwave applications. Known for its excellent performance in amplification and mixing circuits, this component is widely utilized in communication systems, including VHF and UHF receivers, transmitters, and signal processing equipment.  

Featuring low noise and high gain characteristics, the 3SK135A ensures reliable signal amplification with minimal distortion. Its dual-gate structure allows for enhanced control over gain and linearity, making it suitable for demanding RF environments. The device operates efficiently across a broad frequency range, delivering stable performance in both weak-signal and high-frequency applications.  

With robust construction and low intermodulation distortion, the 3SK135A is a preferred choice for professional and industrial RF designs. Its compact packaging and compatibility with surface-mount technology further enhance its integration into modern circuit layouts. Engineers and designers value this component for its consistent performance, durability, and adaptability in high-frequency systems.  

Whether used in telecommunications, broadcasting, or test equipment, the 3SK135A remains a dependable solution for RF amplification and signal processing needs. Its legacy in the electronics industry underscores its reliability and effectiveness in critical applications.