MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR The part 3SK131 is a semiconductor device manufactured by NEC. It is a dual-gate MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for use in high-frequency applications, particularly in RF (Radio Frequency) amplifiers and mixers. The device features low noise and high gain, making it suitable for VHF (Very High Frequency) and UHF (Ultra High Frequency) applications. Key specifications include a maximum drain-source voltage (Vds) of 20V, a maximum gate-source voltage (Vgs) of ±8V, and a typical power dissipation of 300mW. The 3SK131 is housed in a TO-72 package.