Silicon dual insulated-gate field-effect transistor. The part 3N205 is manufactured by MOT (Motorola). It is a P-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (Vds) of -25V, a maximum gate-source voltage (Vgs) of ±20V, and a continuous drain current (Id) of -2.5A. The device has a power dissipation (Pd) of 1.5W and an operating junction temperature range of -55°C to +150°C. It is available in a TO-92 package.