MICROELECTRONICS CO., LTD. - CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2102 FOR LOW FREQUENCY The part 3DD2102 is a high-power NPN silicon transistor. Here are its key specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 15A
- **Collector Dissipation (Pc):** 150W
- **DC Current Gain (hFE):** 15-60
- **Transition Frequency (ft):** 4MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package Type:** TO-3

These specifications are typical for the 3DD2102 transistor, which is commonly used in high-power amplification and switching applications.

MICROELECTRONICS CO., LTD. - CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2102 FOR LOW FREQUENCY The part 3DD2102 is a transistor manufactured by 华晶 (Huajing). It is a high-power NPN silicon transistor commonly used in power amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 5A
- **Power Dissipation (Pc):** 50W
- **DC Current Gain (hFE):** 20-70
- **Transition Frequency (ft):** 3MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package Type:** TO-220

These specifications are typical for the 3DD2102 transistor and may vary slightly depending on the specific batch or manufacturer.