Silicon NPN Power Transistors The 3DD15D is a high-power NPN silicon transistor commonly used in power amplification and switching applications. Below are the key specifications for the 3DD15D transistor:

- **Transistor Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce)**: 150V
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb)**: 150V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb)**: 5V
- **Maximum Collector Current (Ic)**: 5A
- **Maximum Power Dissipation (Pc)**: 50W
- **DC Current Gain (hFE)**: Typically 10-60
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package Type**: TO-220

These specifications are typical for the 3DD15D transistor and are used in various power amplification and switching circuits.

Silicon NPN Power Transistors The part 3DD15D is a type of NPN silicon transistor manufactured by FSC/CHINA. It is commonly used in amplification and switching applications. The key specifications for the 3DD15D transistor are as follows:

- **Type**: NPN Silicon Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 5A
- **Power Dissipation (Pc)**: 50W
- **DC Current Gain (hFE)**: 20-70
- **Transition Frequency (ft)**: 3MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 3DD15D transistor and are used to determine its suitability for various electronic circuits.