MICROELECTRONICS CO., LTD. - HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR The part 3DD13007MD-O-C-N-B is a high-voltage, high-speed NPN power transistor manufactured by Jilin Sino-Microelectronics (JIF). Below are the factual specifications for this part:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220F (fully insulated)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 400V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 700V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 9V
- **Collector Current (I_C)**: 8A
- **Power Dissipation (P_D)**: 80W
- **Transition Frequency (f_T)**: 4MHz
- **DC Current Gain (h_FE)**: 8-40
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is commonly used in applications such as switching power supplies, electronic ballasts, and motor control circuits. The TO-220F package provides electrical insulation, making it suitable for applications requiring isolation.