TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors **Introduction to the 3DD13002 Electronic Component**  

The **3DD13002** is a high-voltage, high-speed NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in power switching and amplification applications. Designed for efficiency and reliability, this component is well-suited for use in electronic ballasts, power supplies, inverters, and other circuits requiring robust performance under high-voltage conditions.  

With a collector-emitter voltage (V_CE) rating of up to **400V** and a collector current (I_C) capability of **1.5A**, the 3DD13002 provides a balance of power handling and switching speed. Its fast switching characteristics make it particularly useful in high-frequency applications where rapid transitions are essential.  

The transistor is housed in a **TO-126** package, ensuring good thermal dissipation and mechanical stability. Its construction allows for effective heat management, which is crucial in preventing thermal runaway and maintaining long-term reliability.  

Engineers and designers often choose the 3DD13002 for its cost-effectiveness and dependable performance in demanding environments. Whether used in industrial equipment or consumer electronics, this transistor remains a practical solution for medium-power applications requiring high-voltage operation.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer's datasheet to ensure proper implementation in circuit designs.

TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors The part number 3DD13002 is a type of NPN silicon transistor commonly used in electronic circuits. Here are the typical specifications for the 3DD13002 transistor:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 400V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 500V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 9V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1.25W
- **Transition Frequency (ft)**: 4MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 8-40
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-126

These specifications are typical for the 3DD13002 transistor and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet provided by the manufacturer for precise details.