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2PD1820AS from PHILIPS

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2PD1820AS

Manufacturer: PHILIPS

NPN general purpose transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2PD1820AS PHILIPS 30000 In Stock

Description and Introduction

NPN general purpose transistor The part 2PD1820AS is a semiconductor device manufactured by PHILIPS. It is a dual-gate MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for use in RF (Radio Frequency) applications, particularly in VHF (Very High Frequency) and UHF (Ultra High Frequency) bands. Key specifications include:

- **Type:** N-channel dual-gate MOSFET
- **Package:** SOT-143
- **Drain-Source Voltage (Vds):** 20V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±8V
- **Drain Current (Id):** 30mA
- **Power Dissipation (Pd):** 300mW
- **Transition Frequency (ft):** 1.2GHz
- **Input Capacitance (Ciss):** 2.5pF
- **Output Capacitance (Coss):** 1.2pF
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 0.03pF

This device is commonly used in RF amplifiers, mixers, and other high-frequency circuits due to its low noise and high gain characteristics.

Application Scenarios & Design Considerations

NPN general purpose transistor# Technical Documentation: 2PD1820AS Silicon Planar Photodiode

 Manufacturer : PHILIPS  
 Component Type : Silicon Planar Photodiode  
 Document Version : 1.0  

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## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2PD1820AS is a high-sensitivity silicon planar photodiode optimized for visible to near-infrared light detection (400-1100 nm wavelength range). Typical applications include:

-  Optical Communication Systems : Used as receiver elements in fiber optic data links operating at 850 nm wavelength
-  Industrial Automation : Object detection in conveyor systems, position sensing in robotic assemblies
-  Medical Instrumentation : Pulse oximetry sensors, blood analysis equipment
-  Consumer Electronics : Ambient light sensors for display brightness control in mobile devices
-  Security Systems : Infrared motion detectors and intrusion alarm systems

### Industry Applications
-  Telecommunications : Fiber optic receiver modules for data transmission
-  Automotive : Rain sensors, twilight detection for automatic headlight control
-  Industrial Control : Photoelectric switches, rotary encoder position detection
-  Medical Diagnostics : Non-invasive blood parameter monitoring devices
-  Environmental Monitoring : Turbidity measurement in water quality systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
- High quantum efficiency (typically 80% at 850 nm)
- Fast response time (<5 ns rise time)
- Low dark current (<2 nA at 5V reverse bias)
- Wide spectral response range (400-1100 nm)
- Planar structure provides stable performance and reliability
- Compact TO-18 package for easy integration

 Limitations: 
- Limited to low-to-medium frequency applications (<100 MHz)
- Temperature-dependent responsivity requires compensation in precision applications
- Susceptible to electromagnetic interference in high-noise environments
- Requires precise optical alignment for optimal performance
- Not suitable for high-power laser detection without attenuation

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## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Bias Voltage 
-  Problem : Insufficient reverse bias voltage leading to reduced bandwidth and increased junction capacitance
-  Solution : Maintain recommended 5-12V reverse bias for optimal performance

 Pitfall 2: Poor Optical Coupling 
-  Problem : Signal loss due to misalignment with light source
-  Solution : Use precision mechanical mounts and consider lens integration

 Pitfall 3: Thermal Drift 
-  Problem : Responsivity variation with temperature changes
-  Solution : Implement temperature compensation circuits or use thermoelectric cooling for precision applications

 Pitfall 4: RF Interference 
-  Problem : Noise pickup in high-frequency applications
-  Solution : Use shielded enclosures and proper grounding techniques

### Compatibility Issues with Other Components

 Amplifier Selection: 
- Compatible with low-noise op-amps (OPA37, LT1028) for transimpedance configurations
- Avoid amplifiers with high input bias current (>10 nA) to prevent signal degradation

 Power Supply Requirements: 
- Requires clean, regulated DC power supply with <10 mV ripple
- Decoupling capacitors (100 nF ceramic + 10 μF tantalum) recommended near device pins

 Optical Components: 
- Compatible with standard optical fibers (50/125 μm, 62.5/125 μm)
- Works well with IR-cut filters for visible light applications

### PCB Layout Recommendations

 General Layout: 
- Place photodiode close to the first amplification stage to minimize parasitic capacitance
- Use ground plane beneath the device to reduce electromagnetic interference
- Keep high-frequency digital circuits separated from analog photodiode circuitry

 Routing Guidelines: 
- Minimize trace length between photodiode and amplifier input
- Use 50Ω controlled impedance traces for high-frequency applications
- Route bias supply lines away from

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