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2N6802 from IR,International Rectifier

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2N6802

Manufacturer: IR

500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2N6802 IR 15 In Stock

Description and Introduction

500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The 2N6802 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 30A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 120A
- **Power Dissipation (PD)**: 75W
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V to 4V
- **Drain-Source On-Resistance (RDS(on))**: 0.028Ω (typical) at VGS = 10V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1800pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 500pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 150pF (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +175°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and represent the electrical and thermal characteristics of the 2N6802 MOSFET.

Application Scenarios & Design Considerations

500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package# 2N6802 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2N6802 is a silicon N-channel enhancement-mode MOSFET manufactured by International Rectifier (IR), primarily designed for  switching applications  in power management circuits. Its typical use cases include:

-  Power Switching Circuits : Efficient ON/OFF control in DC-DC converters, power supplies, and motor drivers
-  Load Switching : Controlling resistive, inductive, and capacitive loads up to 5A continuous current
-  PWM Applications : Suitable for pulse-width modulation circuits operating at moderate frequencies (up to 100kHz)
-  Voltage Regulation : Used as pass elements in linear regulators and switching regulators
-  Interface Circuits : Driving relays, solenoids, and other electromechanical devices from low-power control signals

### Industry Applications
-  Automotive Electronics : Power window controls, fuel injection systems, and lighting controls
-  Industrial Control : Motor drives, actuator controls, and power distribution systems
-  Consumer Electronics : Power management in audio amplifiers, display drivers, and battery charging circuits
-  Telecommunications : Power switching in base stations and communication equipment
-  Computer Peripherals : Hard drive motor controls, fan controllers, and power supply units

### Practical Advantages and Limitations

#### Advantages:
-  Low Gate Drive Requirements : Typical threshold voltage of 2-4V enables direct microcontroller interface
-  Fast Switching Speed : Typical rise time of 30ns and fall time of 20ns
-  Low On-Resistance : RDS(ON) typically 0.085Ω at VGS = 10V, minimizing conduction losses
-  High Current Capability : Continuous drain current rating of 5A
-  Robust Construction : TO-220 package provides excellent thermal performance

#### Limitations:
-  Voltage Constraints : Maximum VDS of 100V limits high-voltage applications
-  Gate Sensitivity : Requires proper ESD protection during handling and installation
-  Thermal Considerations : Maximum junction temperature of 150°C necessitates adequate heatsinking for high-current applications
-  Frequency Limitations : Not optimized for RF or very high-frequency switching (>1MHz)

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

#### Pitfall 1: Inadequate Gate Drive
 Problem : Insufficient gate drive voltage leading to higher RDS(ON) and thermal issues
 Solution : Ensure VGS ≥ 10V for optimal performance; use gate driver ICs for fast switching

#### Pitfall 2: Poor Thermal Management
 Problem : Overheating due to insufficient heatsinking
 Solution : Calculate power dissipation (P = I² × RDS(ON)) and provide adequate heatsinking

#### Pitfall 3: Voltage Spikes and Transients
 Problem : Inductive kickback damaging the MOSFET
 Solution : Implement snubber circuits and freewheeling diodes for inductive loads

#### Pitfall 4: Oscillation Issues
 Problem : Parasitic oscillations due to layout and stray inductance
 Solution : Use gate resistors (10-100Ω) and proper decoupling

### Compatibility Issues with Other Components

#### Gate Driver Compatibility:
-  Microcontroller Interfaces : Compatible with 3.3V and 5V logic with proper level shifting
-  Driver ICs : Works well with TC4420, IR2110, and similar MOSFET drivers
-  Power Supplies : Requires stable VGS within 2-20V range

#### System Integration:
-  Voltage Regulators : Compatible with buck/boost converters up to 100V input
-  Sensing Circuits : May require current sensing resistors for protection
-  Protection Circuits : Needs overcurrent, overvoltage, and thermal protection

### PCB Layout Recommendations

#### Power Path Layout:
-  Trace

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