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2N5772 from FSC,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

2N5772

Manufacturer: FSC

NPN Switching Transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2N5772 FSC 5794 In Stock

Description and Introduction

NPN Switching Transistor The 2N5772 is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -30V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V
- **Collector Current (I_C):** -500mA
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 120
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

The transistor is available in a TO-92 package. These specifications are based on FSC's datasheet for the 2N5772.

Application Scenarios & Design Considerations

NPN Switching Transistor# 2N5772 NPN Silicon Phototransistor Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2N5772 is a high-sensitivity NPN silicon phototransistor designed for light detection and optical sensing applications. Its primary use cases include:

 Optical Switching Systems 
- Position sensing in industrial automation
- Object detection in conveyor systems
- End-of-travel limit switches
- Paper detection in printers and copiers

 Light Measurement Applications 
- Ambient light sensing for display brightness control
- Light intensity monitoring in environmental systems
- Optical encoder systems for motor speed control
- Twilight switches for automatic lighting control

 Communication Systems 
- Infrared remote control receivers
- Optical data transmission interfaces
- Fiber optic link receivers
- Opto-isolator circuits for noise immunity

### Industry Applications

 Consumer Electronics 
- Television and monitor brightness adjustment
- Automatic backlight control for mobile devices
- Remote control signal reception
- Camera exposure control systems

 Industrial Automation 
- Machine safety interlocks
- Position feedback systems
- Material handling equipment sensors
- Robotic vision systems

 Automotive Systems 
- Rain-sensing wiper controls
- Automatic headlight control
- Sunload sensors for climate control
- Dashboard illumination adjustment

 Medical Equipment 
- Photoplethysmography (PPG) sensors
- Blood analyzer optical detection
- Medical instrument position sensing
- Laboratory equipment optical interfaces

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
- High photosensitivity with typical radiant sensitivity of 2.5 mA/mW/cm²
- Fast response time (typically 8 μs rise/fall times)
- Wide spectral response range (450-1100 nm)
- Hermetically sealed TO-18 package for environmental protection
- Low dark current (typically 100 nA maximum)
- Compatible with standard transistor biasing circuits

 Limitations: 
- Limited to near-infrared and visible light detection
- Temperature-dependent characteristics require compensation
- Susceptible to electromagnetic interference in high-noise environments
- Limited linearity in high-light conditions
- Requires careful optical alignment in precision applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Saturation Issues 
-  Problem : Phototransistor saturation in high-light conditions reduces response speed
-  Solution : Implement current-limiting resistors or use active bias circuits
-  Implementation : Add emitter degeneration resistor or use feedback biasing

 Temperature Sensitivity 
-  Problem : Dark current doubles approximately every 10°C temperature increase
-  Solution : Temperature compensation circuits or differential configurations
-  Implementation : Use matched phototransistor pairs in differential amplifiers

 Ambient Light Interference 
-  Problem : Unwanted ambient light affects measurement accuracy
-  Solution : Optical filtering and modulation techniques
-  Implementation : Infrared filters for specific wavelength rejection

 Speed Limitations 
-  Problem : Limited bandwidth for high-speed applications
-  Solution : Optimize load resistance and use transimpedance amplifiers
-  Implementation : Keep load resistance ≤ 1 kΩ for maximum speed

### Compatibility Issues with Other Components

 Amplifier Interface 
- The 2N5772's output current requires proper interface with operational amplifiers
-  Recommended : Transimpedance amplifiers with low input bias current
-  Avoid : High input bias current amplifiers that load the phototransistor

 Digital Logic Compatibility 
- Direct interface with CMOS/TTL logic requires level shifting
-  Solution : Use comparator circuits with hysteresis for digital output
-  Alternative : Buffer amplifiers for signal conditioning

 Power Supply Considerations 
- Maximum collector-emitter voltage: 30 VDC
-  Compatible : Standard 5V, 12V, and 24V industrial power supplies
-  Note : Ensure reverse voltage protection in circuit design

### PCB Layout Recommendations

 Optical Considerations 

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2N5772 Fairchild 5000 In Stock

Description and Introduction

NPN Switching Transistor The 2N5772 is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Planar epitaxial
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -30V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -500mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2N5772 transistor as provided by Fairchild Semiconductor.

Application Scenarios & Design Considerations

NPN Switching Transistor# 2N5772 NPN Silicon Phototransistor Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2N5772 is a high-sensitivity NPN silicon phototransistor designed for light detection and optical sensing applications. Its primary use cases include:

-  Optical Switching : Ideal for position sensing, object detection, and counting systems where interruption of a light beam triggers circuit response
-  Light Intensity Measurement : Suitable for ambient light sensing in automatic brightness control systems and light meters
-  Encoders and Tachometers : Used in rotational speed measurement and position encoding applications
-  Industrial Automation : Employed in safety curtains, material handling systems, and automated assembly lines
-  Consumer Electronics : Integrated in devices requiring light sensing capabilities such as automatic backlight controls

### Industry Applications
-  Industrial Control Systems : Machine safety interlocks, conveyor belt monitoring, and robotic positioning systems
-  Automotive Electronics : Rain-sensing wipers, twilight sensors for automatic headlights, and sunroof position detection
-  Medical Equipment : Optical particle counters, fluid level detection, and diagnostic instrument sensing
-  Security Systems : Intrusion detection beams, door position monitoring, and perimeter protection
-  Consumer Products : Automatic night lights, camera exposure controls, and display brightness adjustment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
- High photosensitivity with typical radiant sensitivity of 2.5 mA/mW/cm² at 880 nm
- Fast response time (typical rise/fall time of 8 μs)
- Wide viewing angle (typically ±30°)
- Low dark current (maximum 100 nA at VCE = 20 V)
- Compatible with automated assembly processes
- Cost-effective solution for basic light sensing requirements

 Limitations: 
- Limited spectral response range (peak sensitivity at 880 nm, primarily near-infrared)
- Temperature-dependent characteristics requiring compensation in precision applications
- Susceptible to ambient light interference without proper optical filtering
- Moderate switching speed compared to photodiodes or specialized high-speed phototransistors
- Non-linear output characteristics requiring signal conditioning for analog applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Biasing 
-  Problem : Improper collector-emitter voltage leading to saturation or insufficient output
-  Solution : Maintain VCE between 5-20V with appropriate current-limiting resistors

 Pitfall 2: Ambient Light Interference 
-  Problem : False triggering due to environmental light variations
-  Solution : Implement optical filtering, use modulated light sources, or add hysteresis in comparator circuits

 Pitfall 3: Temperature Drift 
-  Problem : Output variation with temperature changes affecting measurement accuracy
-  Solution : Incorporate temperature compensation circuits or use differential configurations

 Pitfall 4: Slow Response in Switching Applications 
-  Problem : Inadequate speed for high-frequency modulation
-  Solution : Use smaller load resistors and ensure proper base connection for faster discharge

### Compatibility Issues with Other Components

 Optical Sources: 
- Best performance with infrared LEDs (850-950 nm)
- Incompatible with visible light sources without spectral matching considerations
- Requires matching with emitter wavelength for optimal sensitivity

 Amplification Stages: 
- Compatible with standard op-amp configurations for signal conditioning
- May require high-impedance input stages due to current output characteristics
- Interface considerations for microcontroller ADC inputs (typically requiring current-to-voltage conversion)

 Power Supply Requirements: 
- Compatible with standard 5V, 12V, and 24V industrial power systems
- Requires clean power supply with minimal ripple for analog applications

### PCB Layout Recommendations

 Placement Guidelines: 
- Position away from heat-generating components to minimize temperature effects
- Maintain adequate clearance from high-frequency digital circuits to prevent noise coupling

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2N5772 NS 1580 In Stock

Description and Introduction

NPN Switching Transistor The 2N5772 is a silicon NPN transistor manufactured by NS (Nippon Semiconductor). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce)**: 30V
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb)**: 30V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb)**: 5V
- **Maximum Collector Current (Ic)**: 50mA
- **Maximum Power Dissipation (Pd)**: 300mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 200
- **Transition Frequency (ft)**: 300MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2N5772 transistor as provided by the manufacturer NS.

Application Scenarios & Design Considerations

NPN Switching Transistor# 2N5772 NPN Silicon Phototransistor Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2N5772 is a silicon NPN phototransistor designed for light-sensing applications where moderate sensitivity and fast response times are required. Typical use cases include:

-  Optical Switching : Used in position sensing, object detection, and limit switching applications
-  Light Detection : Ambient light sensing for display brightness control and automatic lighting systems
-  Encoders : Rotary and linear optical encoders for position feedback in motor control systems
-  Isolation : Optical isolation in circuits requiring electrical separation between input and output stages
-  Pulse Detection : Reading infrared remote control signals and optical data transmission

### Industry Applications
 Consumer Electronics 
- Television remote control receivers
- Automatic backlight dimming in displays and mobile devices
- Optical smoke detectors in home safety systems

 Industrial Automation 
- Position sensing in manufacturing equipment
- Object counting on conveyor systems
- Paper detection in printers and copiers

 Automotive Systems 
- Rain sensing for automatic wiper control
- Twilight sensing for automatic headlight control
- Position detection in power windows and seats

 Medical Equipment 
- Optical pulse oximeters
- Fluid level detection in infusion pumps
- Disposable medical device sensing

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Sensitivity : Responsive to infrared and visible light with typical radiant sensitivity of 2.5 mA/mW at 880 nm
-  Fast Response : Typical rise/fall times of 8 μs enable detection of modulated light signals
-  Simple Integration : Requires minimal external components for basic operation
-  Cost-Effective : Economical solution for light detection applications
-  Robust Packaging : TO-18 metal can package provides mechanical strength and light shielding

 Limitations: 
-  Temperature Sensitivity : Collector dark current increases with temperature (typically 10 nA at 25°C, 100 μA at 100°C)
-  Spectral Range : Peak sensitivity at 880 nm limits effectiveness outside near-infrared spectrum
-  Linearity : Response becomes non-linear at high illumination levels
-  Ambient Light Interference : Susceptible to background light without proper optical filtering

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Saturation Operation 
-  Problem : Operating the phototransistor in saturation reduces switching speed and linearity
-  Solution : Use appropriate load resistance to keep collector voltage above 1V during operation

 Pitfall 2: Ambient Light Interference 
-  Problem : Unwanted background light affects measurement accuracy
-  Solution : Implement optical filtering (IR pass filter) or use modulated light sources with synchronous detection

 Pitfall 3: Temperature Drift 
-  Problem : Dark current doubles approximately every 10°C temperature increase
-  Solution : For precision applications, use temperature compensation circuits or operate in switched mode

 Pitfall 4: Slow Response in High-Gain Configurations 
-  Problem : Large load resistances increase gain but reduce bandwidth
-  Solution : Balance load resistance value based on required speed vs. sensitivity trade-off

### Compatibility Issues with Other Components

 Optical Sources 
-  LED Matching : Best performance with infrared LEDs emitting at 880-940 nm
-  Laser Sources : Requires attenuation to prevent damage from high-intensity sources
-  Incandescent Lamps : Broad spectrum may require optical filtering for optimal performance

 Amplification Stages 
-  Op-Amp Interface : Requires careful consideration of bias currents and input impedance matching
-  Microcontroller ADC : May need current-to-voltage conversion and signal conditioning
-  Digital Logic : Schmitt trigger input recommended for clean digital transitions

 Power Supply Considerations 
-  Voltage

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