Conductor Products, Inc. - PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR The 2N5160 is a high-voltage NPN transistor manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the key specifications for the 2N5160:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 300 V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 300 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5 V
- **Collector Current (I_C)**: 1 A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 10 W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120 (at I_C = 0.5 A, V_CE = 10 V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 50 MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39 metal can

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2N5160 transistor.

Conductor Products, Inc. - PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR The 2N5160 is a silicon NPN transistor manufactured by Motorola (MOT). It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 40V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V
- **Collector Current (I_C):** 1A
- **Power Dissipation (P_D):** 1W
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 120
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N5160 transistor as provided by Motorola.