Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N5089 is a high-gain NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in low-noise amplifier applications. The manufacturer FSC (Fairchild Semiconductor Corporation) specifications for the 2N5089 include:

- **Type**: NPN transistor
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 50mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 400 to 1200
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1dB (typical at 1kHz, 100µA, 1V)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the 2N5089 transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N5089 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola (MOTO). Below are the key specifications for the 2N5089:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 30V
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 40V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 50mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 400 to 1200 (typically 600 at 10mA)
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N5089 transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N5089 is a high-gain, low-noise NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by National Semiconductor (NS). Below are the key specifications for the 2N5089:

- **Type**: NPN BJT
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 50mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 400 to 1200 (typical)
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1dB (typical at 1kHz, 1mA)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by National Semiconductor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N5089 is a high-gain, low-noise NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by National Semiconductor Corporation (NSC). Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 50mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 400 to 1200 (typical)
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz (typical)
- **Noise Figure (NF)**: 1dB (typical at 1kHz, 1mA, 5V)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2N5089 transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N5089 is a high-gain NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 40V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 50mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 400 to 1200 (typical at 1mA, 10V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the 2N5089 transistor.