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2N5038 from ST,ST Microelectronics

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2N5038

Manufacturer: ST

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2N5038 ST 11 In Stock

Description and Introduction

NPN SILICON POWER TRANSISTORS The 2N5038 is a PNP silicon transistor manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -1A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1W
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 120
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics.

Application Scenarios & Design Considerations

NPN SILICON POWER TRANSISTORS# 2N5038 NPN Power Transistor Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2N5038 is a high-voltage NPN silicon power transistor designed for demanding applications requiring robust performance and reliability. Its primary use cases include:

 Power Switching Applications 
-  DC-DC Converters : Used as the main switching element in flyback and forward converters operating at voltages up to 350V
-  Motor Control : Suitable for driving small to medium DC motors in industrial equipment and automotive systems
-  Relay and Solenoid Drivers : Provides high-current switching capability for electromagnetic loads
-  SMPS (Switched-Mode Power Supplies) : Functions as the primary switching transistor in offline power supplies

 Amplification Applications 
-  Audio Power Amplifiers : Used in output stages of medium-power audio amplifiers (up to 75W)
-  RF Power Amplifiers : Suitable for medium-frequency RF applications in communication equipment
-  Linear Regulators : Serves as the pass element in high-voltage linear power supplies

### Industry Applications
-  Industrial Automation : Motor drives, control systems, and power management in factory automation equipment
-  Consumer Electronics : Power supplies for televisions, audio systems, and home appliances
-  Telecommunications : Power amplification and switching in communication infrastructure
-  Automotive Systems : Electronic control units (ECUs), lighting controls, and power distribution
-  Renewable Energy : Power conversion in solar inverters and wind turbine controllers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Voltage Capability : 350V VCEO rating enables operation in high-voltage circuits
-  Robust Construction : Metal TO-3 package provides excellent thermal performance and mechanical durability
-  High Current Handling : 7A continuous collector current supports power applications
-  Good Frequency Response : Transition frequency of 4MHz allows operation in medium-frequency switching applications
-  Proven Reliability : Established technology with extensive field history and reliability data

 Limitations: 
-  Lower Frequency Capability : Not suitable for high-frequency switching applications (>1MHz)
-  Large Physical Size : TO-3 package requires significant board space and proper mounting considerations
-  Higher Saturation Voltage : VCE(sat) of 1.5V at 3A results in higher conduction losses compared to modern devices
-  Limited Beta Range : DC current gain of 15-60 may require careful circuit design for optimal performance
-  Obsolete Technology : Being replaced by more modern devices in new designs

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues 
-  Pitfall : Inadequate heat sinking leading to thermal runaway and device failure
-  Solution : Use proper thermal compound and ensure maximum junction temperature (Tj) never exceeds 200°C
-  Implementation : Calculate thermal resistance (RθJC = 1.5°C/W) and provide adequate heat sinking based on power dissipation

 Secondary Breakdown Protection 
-  Pitfall : Operating in unsafe operating area (SOA) leading to device destruction
-  Solution : Implement SOA protection circuits and derate operating parameters
-  Implementation : Use snubber networks and ensure operation within specified SOA curves

 Base Drive Considerations 
-  Pitfall : Insufficient base drive current causing high saturation voltages and excessive heating
-  Solution : Provide adequate base current (typically 1/10 of collector current for saturation)
-  Implementation : Use proper base drive circuits with current limiting resistors

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility 
-  Microcontroller Interfaces : Requires level shifting and current amplification when driven directly from logic circuits
-  Optocoupler Interfaces : Compatible with standard optocouplers but may require additional buffering
-  Gate Drive Transformers : Well-suited for

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2N5038 ON 34 In Stock

Description and Introduction

NPN SILICON POWER TRANSISTORS The 2N5038 is a PNP silicon transistor manufactured by ON Semiconductor. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1A
- **Power Dissipation (PD):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 120
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N5038 transistor as provided by ON Semiconductor.

Application Scenarios & Design Considerations

NPN SILICON POWER TRANSISTORS# Technical Documentation: 2N5038 PNP Power Transistor

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2N5038 is a silicon PNP power transistor primarily employed in medium-power amplification and switching applications. Key use cases include:

 Audio Amplification Stages 
- Driver stages in audio power amplifiers (15-30W range)
- Complementary symmetry output stages when paired with NPN counterparts
- Pre-driver applications in multi-stage amplifier designs

 Power Switching Applications 
- Motor control circuits for small DC motors (up to 3A continuous current)
- Solenoid and relay drivers in industrial control systems
- Lamp drivers and illumination control circuits

 Voltage Regulation 
- Series pass elements in linear power supplies
- Current limiting circuits in power management systems
- Overload protection circuits

### Industry Applications
 Consumer Electronics 
- Audio systems and home theater equipment
- Power supply units for televisions and entertainment systems
- Motor control in household appliances

 Industrial Automation 
- Programmable logic controller (PLC) output modules
- Motor drives for conveyor systems
- Process control instrumentation

 Automotive Systems 
- Power window and seat motor controllers
- Lighting control modules
- Engine management auxiliary circuits

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Robust Construction : Metal TO-66 package provides excellent thermal dissipation
-  High Current Capability : 3A continuous collector current rating
-  Good Frequency Response : Typical fT of 3MHz suitable for audio applications
-  Wide Operating Range : -65°C to +200°C junction temperature rating

 Limitations: 
-  Moderate Speed : Not suitable for high-frequency switching (>100kHz)
-  Lower Beta : Typical hFE of 15-60 requires careful biasing design
-  Package Size : TO-66 package is larger than modern SMD alternatives
-  Saturation Voltage : VCE(sat) of 1.5V maximum affects efficiency in switching applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Thermal Management Issues 
-  Pitfall : Inadequate heat sinking leading to thermal runaway
-  Solution : Calculate power dissipation (PD = VCE × IC) and ensure proper heat sinking
-  Implementation : Use thermal compound and appropriate heat sink (typically 5-10°C/W for 20W dissipation)

 Beta Variation Challenges 
-  Pitfall : Wide hFE spread (15-60) causing inconsistent circuit performance
-  Solution : Implement negative feedback or emitter degeneration
-  Implementation : Add emitter resistor (RE = 0.1-1Ω) for current sharing and stability

 Secondary Breakdown Concerns 
-  Pitfall : Operating outside safe operating area (SOA) causing device failure
-  Solution : Stay within specified SOA curves and use protective circuits
-  Implementation : Add snubber networks and current limiting in inductive load applications

### Compatibility Issues with Other Components
 Driver Circuit Compatibility 
- Requires adequate base drive current (IB = IC/hFE)
- Compatible with standard logic families when using appropriate interface circuits
- May require Darlington configuration for high current gain requirements

 Protection Component Selection 
- Fast-recovery diodes recommended for inductive load protection
- Base-emitter resistors (10-100kΩ) prevent false turn-on in noisy environments
- Proper fuse selection based on maximum IC rating

### PCB Layout Recommendations
 Power Path Routing 
- Use wide copper traces (minimum 2mm width per amp) for collector and emitter paths
- Implement star grounding for power and signal returns
- Place decoupling capacitors (100nF ceramic + 10μF electrolytic) close to device pins

 Thermal Management Layout 
- Provide adequate copper area for heat dissipation (minimum 4cm² for TO-66 package)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2N5038 MOTOROLA 11 In Stock

Description and Introduction

NPN SILICON POWER TRANSISTORS The 2N5038 is a silicon NPN power transistor manufactured by Motorola. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce)**: 80V
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb)**: 100V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb)**: 5V
- **Maximum Collector Current (Ic)**: 7A
- **Maximum Power Dissipation (Pd)**: 40W
- **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 60 (at Ic = 4A, Vce = 4V)
- **Transition Frequency (ft)**: 4MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-66

These specifications are based on the data provided by Motorola for the 2N5038 transistor.

Application Scenarios & Design Considerations

NPN SILICON POWER TRANSISTORS# 2N5038 PNP Silicon Power Transistor Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2N5038 is a PNP silicon power transistor primarily designed for  medium-power amplification and switching applications . Its robust construction and thermal characteristics make it suitable for:

-  Audio Power Amplification : Output stages in Class AB/B amplifiers (15-30W range)
-  Power Supply Regulation : Series pass elements in linear voltage regulators
-  Motor Control Circuits : Driver stages for DC motors up to 3A continuous current
-  Relay/Solenoid Drivers : Direct switching of inductive loads
-  DC-DC Converters : Switching elements in buck/boost converters

### Industry Applications
 Industrial Automation : 
- Machine control systems
- Process control instrumentation
- Motor drive circuits in conveyor systems

 Consumer Electronics :
- Audio amplifier output stages
- Power management circuits
- Television vertical deflection circuits

 Automotive Systems :
- Power window controllers
- Seat adjustment motors
- Cooling fan drivers

 Telecommunications :
- Power amplifier driver stages
- Line interface circuits

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  High Current Capability : Continuous collector current rating of 4A
-  Excellent Thermal Performance : Low thermal resistance (1.67°C/W junction-to-case)
-  Robust Construction : Metal TO-204AA (TO-3) package provides mechanical durability
-  Wide Operating Temperature : -65°C to +200°C junction temperature range
-  Good Frequency Response : Typical fT of 4MHz suitable for audio and medium-speed switching

 Limitations :
-  Moderate Switching Speed : Not suitable for high-frequency switching (>100kHz)
-  Large Physical Size : TO-3 package requires significant board space
-  Higher Saturation Voltage : VCE(sat) typically 1.1V at 3A reduces efficiency
-  Limited Beta Range : DC current gain typically 15-60, requiring careful bias design

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues :
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution : Use proper thermal compound and calculate heatsink requirements based on maximum power dissipation (75W at TC = 25°C)

 Secondary Breakdown :
-  Pitfall : Operating outside safe operating area (SOA) causing device failure
-  Solution : Implement SOA protection circuits and derate operating parameters

 Storage Time Effects :
-  Pitfall : Slow turn-off in switching applications causing cross-conduction
-  Solution : Use Baker clamp circuits or speed-up capacitors in base drive

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility :
- Requires adequate base drive current (typically 200-400mA for full saturation)
- Compatible with standard logic families through appropriate interface circuits
- May require negative voltage supplies in some configurations

 Protection Component Selection :
- Snubber networks essential for inductive load switching
- Fast-recovery diodes recommended for flyback protection
- Proper fuse selection based on SOA characteristics

### PCB Layout Recommendations

 Power Routing :
- Use wide copper traces (minimum 100 mil width per amp)
- Implement star grounding to minimize ground loops
- Place decoupling capacitors close to collector and emitter pins

 Thermal Management :
- Provide adequate copper area for heatsink mounting
- Use thermal vias when mounting to PCB heatsinks
- Ensure proper airflow around the device

 Signal Integrity :
- Keep base drive circuits short and direct
- Separate high-current paths from sensitive signal traces
- Use ground planes for noise reduction

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Absolute Maximum Ratings :
- Collector-Emitter Voltage (VCEO

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