NPN SILICON POWER TRANSISTORS The 2N5038 is a PNP silicon transistor manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -1A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1W
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 120
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics.

NPN SILICON POWER TRANSISTORS The 2N5038 is a PNP silicon transistor manufactured by ON Semiconductor. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1A
- **Power Dissipation (PD):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 120
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N5038 transistor as provided by ON Semiconductor.

NPN SILICON POWER TRANSISTORS The 2N5038 is a silicon NPN power transistor manufactured by Motorola. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce)**: 80V
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb)**: 100V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb)**: 5V
- **Maximum Collector Current (Ic)**: 7A
- **Maximum Power Dissipation (Pd)**: 40W
- **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 60 (at Ic = 4A, Vce = 4V)
- **Transition Frequency (ft)**: 4MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-66

These specifications are based on the data provided by Motorola for the 2N5038 transistor.