Conductor Products, Inc. - HIGH-VOLTAGE PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS The 2N4929 is a PNP silicon transistor manufactured by Motorola. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -1A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N4929 transistor.

Conductor Products, Inc. - HIGH-VOLTAGE PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS The 2N4929 is a PNP silicon transistor manufactured by Solid State Inc. (SSI). Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -1A
- **Power Dissipation (Pd)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 40-120
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.