Leaded Power Transistor General Purpose The 2N4920 is a PNP silicon transistor manufactured by Motorola (M0T). Here are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -40V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -1A
- **Power Dissipation (Pd)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 120
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39

These specifications are based on the data provided in Ic-phoenix technical data files for the 2N4920 transistor manufactured by Motorola (M0T).

Leaded Power Transistor General Purpose The 2N4920 is a PNP silicon transistor manufactured by ON Semiconductor. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -40V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1A
- **Power Dissipation (PD)**: 625mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 120
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N4920 transistor as provided by ON Semiconductor.

Leaded Power Transistor General Purpose The 2N4920 is a PNP silicon transistor manufactured by Motorola (MOT). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -1A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N4920 transistor.