Leaded Power Transistor General Purpose The 2N4918 is a PNP silicon transistor manufactured by Motorola (MOT). Key specifications include:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** -40V
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** -40V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** -5V
- **Maximum Collector Current (Ic):** -600mA
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW
- **Transition Frequency (ft):** 100MHz
- **DC Current Gain (hfe):** 40-120
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N4918 transistor.

Leaded Power Transistor General Purpose The 2N4918 is a PNP silicon transistor manufactured by Motorola. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -1A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39 Metal Can

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N4918 transistor.

Leaded Power Transistor General Purpose The 2N4918 is a PNP silicon transistor manufactured by Motorola (MOTO). Here are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -40V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -40V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -600mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N4918 transistor as provided by Motorola.