SILICON CONTROLLED RECTIFIERS The 2N4443 is a silicon NPN transistor manufactured by various companies, including Siliconix (now part of Vishay). Below are the key specifications for the 2N4443 transistor:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 40V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 6V
- **Collector Current (Ic)**: 500mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 625mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 - 300 (typically at Ic = 10mA, Vce = 1V)
- **Transition Frequency (ft)**: 250MHz (typically)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C

These specifications are based on standard datasheet information for the 2N4443 transistor. Always refer to the specific manufacturer's datasheet for precise details.