Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4427 is a high-frequency NPN transistor manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-39 metal can
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 40V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 500mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 1W
- **Transition Frequency (ft)**: 500MHz
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 500MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N4427 transistor as provided by STMicroelectronics. Always refer to the official datasheet for precise details.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4427 is a high-frequency NPN transistor manufactured by Motorola (MOT). It is designed for use in RF amplifiers and oscillators, particularly in VHF and UHF applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 40V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 30V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 4V
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 500mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 1W
- **Transition Frequency (f_T)**: 500MHz
- **Noise Figure**: 4dB (typical at 200MHz)
- **Gain-Bandwidth Product**: 500MHz
- **Package**: TO-39 metal can

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N4427 transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4427 is a high-frequency NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Advanced Power Technology (APT). Below are the key specifications for the 2N4427 transistor:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Manufacturer**: Advanced Power Technology (APT)
- **Package**: TO-39 metal can
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 40V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 500mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 1W
- **Transition Frequency (f_T)**: 600MHz
- **DC Current Gain (h_FE)**: 20-200
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

The 2N4427 is designed for high-frequency amplification and switching applications, particularly in RF and microwave circuits.