0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 50V Vceo, 0.250A Ic, 60 The 2N4409 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola (MOT). Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -30V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -600mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100-300
- **Transition Frequency (f_T)**: 200MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2N4409 transistor as per Motorola's datasheet.