General Purpose Transistors, PNP Silicon The 2N4403RLRA is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 40V
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 40V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Continuous Collector Current (Ic)**: 600mA
- **Total Power Dissipation (Pd)**: 625mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 - 300 (at Ic = 150mA, Vce = 1V)
- **Transition Frequency (ft)**: 250MHz
- **Operating and Storage Junction Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the standard datasheet information provided by Motorola for the 2N4403RLRA transistor.