IC Phoenix logo

Home ›  2  › 24 > 2N4403G

2N4403G from ON,ON Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

2N4403G

Manufacturer: ON

General Purpose Transistors

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2N4403G ON 293225 In Stock

Description and Introduction

General Purpose Transistors The 2N4403G is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -40 V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -40 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5 V
- **Collector Current (IC)**: -600 mA
- **Power Dissipation (PD)**: 625 mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 300 (at IC = -150 mA, VCE = -1 V)
- **Transition Frequency (fT)**: 200 MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.

Application Scenarios & Design Considerations

General Purpose Transistors# 2N4403G PNP Bipolar Junction Transistor Technical Documentation

 Manufacturer : ON Semiconductor

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2N4403G is a general-purpose PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly employed in:

 Switching Applications 
- Relay and solenoid drivers in industrial control systems
- Motor control circuits for small DC motors
- LED driver circuits with current requirements up to 600mA
- Power management switching in portable devices

 Amplification Circuits 
- Audio preamplifiers and small-signal amplification stages
- Sensor interface circuits requiring low-noise amplification
- Impedance matching circuits in RF applications up to 250MHz
- Signal conditioning in measurement equipment

 Interface and Logic Circuits 
- Level shifting between different voltage domains
- Inverter circuits in digital logic systems
- Bus drivers for communication interfaces
- Protection circuits with current limiting capabilities

### Industry Applications

 Consumer Electronics 
- Power management in portable devices
- Audio amplification in headphones and small speakers
- Backlight driving in LCD displays
- Battery charging control circuits

 Industrial Automation 
- PLC output modules for actuator control
- Sensor signal conditioning
- Motor drive circuits in small machinery
- Power supply control circuits

 Automotive Systems 
- Body control modules for lighting systems
- Power window and seat control circuits
- Engine management auxiliary functions
- Infotainment system power control

 Telecommunications 
- Line interface circuits
- Signal routing and switching
- Power amplifier bias circuits
- RF signal processing in base stations

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages 
- High current handling capability (600mA continuous)
- Good frequency response (fT = 200MHz typical)
- Low saturation voltage (VCE(sat) = 0.4V max @ IC = 150mA)
- Excellent DC current gain linearity
- Robust construction with good thermal characteristics
- Cost-effective for general-purpose applications

 Limitations 
- Moderate power dissipation (625mW)
- Limited high-frequency performance compared to RF transistors
- Higher saturation voltage than MOSFET alternatives
- Temperature-dependent gain characteristics
- Requires base current for operation (unlike MOSFETs)

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management 
*Pitfall*: Exceeding maximum junction temperature due to inadequate heatsinking
*Solution*: Calculate power dissipation (P_D = V_CE × I_C) and ensure proper thermal design
*Implementation*: Use copper pour for heatsinking, consider derating above 25°C ambient

 Current Limiting 
*Pitfall*: Excessive base current causing transistor damage
*Solution*: Implement base resistor (R_B = (V_DRIVE - V_BE) / I_B) with safety margin
*Implementation*: Calculate for worst-case beta (h_FE) variations

 Saturation Control 
*Pitfall*: Incomplete saturation leading to excessive power dissipation
*Solution*: Ensure adequate base drive current (I_B > I_C / h_FE(min))
*Implementation*: Design for forced beta of 10-20 for hard saturation

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility 
- CMOS outputs: Ensure V_OH exceeds V_BE + margin
- TTL outputs: May require pull-up resistors for proper turn-off
- Microcontroller GPIO: Check current sourcing capability matches base current requirements

 Load Compatibility 
- Inductive loads: Require flyback diodes for protection
- Capacitive loads: Consider inrush current limitations
- Resistive loads: Stay within SOA (Safe Operating Area) boundaries

 Power Supply Considerations 
- Voltage ratings: Ensure V_CEO (40V) exceeds supply voltage with margin
- Current capability: Power supply must handle peak collector currents
- Stability: Consider dec

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips