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2N4401RLRAG from ON,ON Semiconductor

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2N4401RLRAG

Manufacturer: ON

General Purpose Transistors

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2N4401RLRAG ON 3700 In Stock

Description and Introduction

General Purpose Transistors The 2N4401RLRAG is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Package**: SOT-23 (RLRAG)
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 40V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V
- **Continuous Collector Current (IC)**: 600mA
- **Total Power Dissipation (PD)**: 350mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 - 300 (at IC = 150mA, VCE = 1V)
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

Application Scenarios & Design Considerations

General Purpose Transistors# 2N4401RLRAG NPN Bipolar Junction Transistor Technical Document

 Manufacturer : ON Semiconductor

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2N4401RLRAG serves as a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) optimized for medium-current switching and amplification applications. Common implementations include:

-  Low-side switching circuits  for relays, solenoids, and LEDs up to 600mA
-  Audio amplification stages  in preamplifiers and small signal amplifiers
-  Digital logic interfaces  converting between TTL/CMOS levels and higher power loads
-  Oscillator and multivibrator circuits  for timing and waveform generation
-  Driver stages  for motors and other inductive loads requiring current buffering

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : Remote controls, audio equipment, power management circuits
-  Automotive Systems : Sensor interfaces, lighting controls, basic motor drivers
-  Industrial Control : PLC output modules, sensor conditioning circuits, relay drivers
-  Telecommunications : Signal conditioning, line drivers, interface protection circuits
-  Power Supplies : Secondary-side switching, overcurrent protection, voltage regulation

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
- High current gain (hFE = 100-300) ensures good signal amplification
- Low saturation voltage (VCE(sat) < 0.4V @ 150mA) minimizes power dissipation in switching applications
- Robust construction withstands industrial temperature ranges (-55°C to +150°C)
- Cost-effective solution for medium-power applications
- Excellent availability and second-source options

 Limitations: 
- Maximum collector current of 600mA restricts high-power applications
- Moderate switching speed (transition frequency ≈ 250MHz) limits high-frequency use
- Requires careful thermal management at maximum current ratings
- Not suitable for high-voltage applications (>40V VCEO)

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues: 
-  Pitfall : Operating near maximum ratings without adequate heatsinking
-  Solution : Derate current by 30-50% for continuous operation, use thermal vias in PCB

 Beta Variation: 
-  Pitfall : Assuming fixed current gain across temperature and current ranges
-  Solution : Design circuits to work with minimum hFE specification, use negative feedback

 Saturation Concerns: 
-  Pitfall : Inadequate base drive current leading to high VCE(sat)
-  Solution : Ensure IB > IC/10 for proper saturation, use Baker clamp for hard saturation

### Compatibility Issues with Other Components

 Digital Interface Compatibility: 
- Compatible with 3.3V and 5V microcontroller GPIO pins
- Requires current-limiting resistors when driving from CMOS outputs
- May need level shifting when interfacing with lower voltage systems

 Power Supply Considerations: 
- Ensure VCC does not exceed 40V absolute maximum rating
- Decoupling capacitors (100nF) required near collector for stable operation
- Consider flyback diodes when switching inductive loads

### PCB Layout Recommendations

 General Layout: 
- Place decoupling capacitors within 10mm of transistor pins
- Use wide traces for collector and emitter paths carrying >100mA
- Implement thermal relief patterns for soldering ease

 Thermal Management: 
- Include thermal vias under the device package for heat dissipation
- Provide adequate copper area for heatsinking (minimum 100mm² for full current)
- Consider using solder mask openings for additional heat transfer

 Signal Integrity: 
- Keep base drive circuitry close to minimize parasitic inductance
- Separate high-current switching paths from sensitive analog circuits
- Use ground planes for improved noise immunity

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Absolute Maximum Ratings: 
- Collector-Emitter Voltage (VCEO

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