PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/433 The 2N4399 is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by PHILIPS. Here are the key specifications:

- **Type**: N-channel JFET
- **Maximum Drain-Source Voltage (Vds)**: 40V
- **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs)**: 40V
- **Maximum Drain Current (Id)**: 15mA
- **Maximum Power Dissipation (Pd)**: 300mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.5V to -4.5V
- **Drain-Source On Resistance (Rds(on))**: 30Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 4.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 2.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 1.5pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by PHILIPS for the 2N4399 JFET.

PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/433 The 2N4399 is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by Motorola (MOT). Here are the key specifications:

- **Type**: N-channel JFET
- **Maximum Drain-Source Voltage (Vds)**: 40V
- **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs)**: 40V
- **Maximum Drain Current (Id)**: 30mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 300mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.5V to -4.5V
- **Drain-Source On Resistance (Rds(on))**: 30Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 5pF (typical)
- **Forward Transfer Admittance (Yfs)**: 5000µS (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by Motorola for the 2N4399 JFET.