Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4126 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola (MOTO). Below are the factual specifications for the 2N4126 transistor:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 200mA
- **Maximum Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 300 (typically)
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N4126 transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4126 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. Below are the factual specifications for the 2N4126 transistor as provided by the manufacturer FAI/MOTO:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 200mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 - 300 (typically 200)
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2N4126 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances. Always refer to the datasheet for precise details and application-specific information.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4126 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by various companies, including FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). Below are the factual specifications for the 2N4126 transistor based on FSC's datasheet:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
2. **Package**: TO-92
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 25V
4. **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V
5. **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V
6. **Collector Current (I_C)**: 200mA
7. **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 100 - 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)
9. **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2N4126 transistor as provided by FSC. Always refer to the specific datasheet for detailed performance characteristics and application notes.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4126 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the key specifications for the 2N4126 transistor:

- **Type**: NPN
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 200mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 - 300 (typically 150)
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the 2N4126 transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4126 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 30 V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 40 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5 V
- **Collector Current (I_C)**: 200 mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625 mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 - 300 (typically)
- **Transition Frequency (f_T)**: 250 MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N4126 transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4126 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor (NS). Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 30 V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 40 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5 V
- **Collector Current (I_C)**: 200 mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625 mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 300 (at I_C = 10 mA, V_CE = 1 V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 250 MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2N4126 transistor as provided by ON Semiconductor.