Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -30V. Collector-base voltage: Vcbo = -30V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW. The 2N4125 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by FAI (Fairchild Semiconductor). Below are the factual specifications for the 2N4125 transistor:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 200mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 - 300 (typically 200)
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific batch or testing conditions.

Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -30V. Collector-base voltage: Vcbo = -30V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW. The 2N4125 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT). According to the manufacturer's specifications from Motorola (MOT), the key parameters for the 2N4125 are as follows:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 25 V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 40 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5 V
- **Collector Current (I_C):** 200 mA
- **Power Dissipation (P_D):** 625 mW
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = 10 mA, V_CE = 1 V)
- **Transition Frequency (f_T):** 250 MHz (typical)
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

These specifications are based on the datasheet provided by Motorola for the 2N4125 transistor.

Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -30V. Collector-base voltage: Vcbo = -30V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW. The 2N4125 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT). According to the FSC (Federal Supply Code) specifications, it is categorized under the FSC 5961 (Semiconductor Devices and Associated Hardware). The manufacturer of the 2N4125 transistor must comply with military standards, such as MIL-PRF-19500, which ensures reliability and performance under stringent conditions. The transistor is typically used in amplification and switching applications. Specific electrical characteristics, such as current gain (hFE), collector-emitter voltage (VCEO), and power dissipation, are defined in the datasheet provided by the manufacturer.

Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -30V. Collector-base voltage: Vcbo = -30V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW. The 2N4125 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the key specifications for the 2N4125:

- **Type**: NPN
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 200mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 - 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2N4125 transistor as provided by Fairchild Semiconductor.