Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4123 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT). According to the FSC (Federal Supply Code) specifications, it is categorized under the FSC 5961 (Semiconductor Devices and Associated Hardware). The 2N4123 is typically used in amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 25V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 30V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V
- **Collector Current (I_C):** 200mA
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz

These specifications are standard for the 2N4123 transistor and are consistent across manufacturers adhering to FSC standards.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4123 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola (MOT). Key specifications from the manufacturer include:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 200mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 300 (typically 200 at I_C = 10mA, V_CE = 10V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2N4123 transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N4123 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the key specifications for the 2N4123:

- **Type**: NPN
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 200mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 - 300
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2N4123 transistor and are subject to Fairchild Semiconductor's datasheet for precise details.