N-Channel JFET General Purpose Amplifier The 2N4118A is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by Vishay. Below are the key specifications:

- **Type**: N-channel JFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 40 V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: 40 V
- **Drain Current (Id)**: 10 mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 350 mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.5 V to -4.0 V
- **Drain-Source On-Resistance (Rds(on))**: 100 Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 4.5 pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 2.5 pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 1.5 pF (typical)
- **Noise Figure (NF)**: 1.5 dB (typical) at 1 kHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on Vishay's datasheet for the 2N4118A JFET.

N-Channel JFET General Purpose Amplifier The 2N4118A is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by Siliconix, a subsidiary of Vishay Intertechnology. Below are the key specifications for the 2N4118A:

1. **Type**: N-channel JFET.
2. **Maximum Drain-Source Voltage (Vds)**: 40 V.
3. **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs)**: 40 V.
4. **Maximum Continuous Drain Current (Id)**: 50 mA.
5. **Maximum Power Dissipation (Pd)**: 350 mW.
6. **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.5 V to -6.0 V.
7. **Zero-Gate-Voltage Drain Current (Idss)**: 1.0 mA to 5.0 mA.
8. **Input Capacitance (Ciss)**: 4.5 pF (typical).
9. **Output Capacitance (Coss)**: 2.5 pF (typical).
10. **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 1.5 pF (typical).
11. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C.
12. **Package**: TO-72.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions unless otherwise noted.

N-Channel JFET General Purpose Amplifier The 2N4118A is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications:

- **Type**: N-channel JFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 40V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: 40V
- **Drain Current (Id)**: 10mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 350mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.5V to -4V
- **Drain-Source On-Resistance (Rds(on))**: 30Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 4.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 2.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 1.5pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics.