Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 The 2N3963 is a PNP silicon transistor manufactured by Motorola. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -40V
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -40V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -500mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 625mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 120
- **Transition Frequency (ft)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2N3963 transistor as provided by Motorola.

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 The 2N3963 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola (MOT). Below are the key specifications for the 2N3963 transistor:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -40V
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -40V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Continuous Collector Current (Ic)**: -200mA
- **Total Power Dissipation (Pd)**: 360mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 120 (at Ic = -10mA, Vce = -1V)
- **Transition Frequency (ft)**: 100MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on the datasheet provided by Motorola for the 2N3963 transistor.