EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) The 2N3906U is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the key specifications for the 2N3906U transistor:

- **Type**: PNP BJT (Bipolar Junction Transistor)
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -200mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2N3906U transistor and are subject to variations based on operating conditions.