EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) The 2N3906S is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual specifications for the 2N3906S transistor:

1. **Type**: PNP BJT (Bipolar Junction Transistor).
2. **Package**: SOT-23 (Surface-Mount Device).
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V.
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V.
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V.
6. **Collector Current (I_C)**: -200mA.
7. **Power Dissipation (P_D)**: 200mW.
8. **DC Current Gain (h_FE)**: Typically 100 to 300 at I_C = -10mA and V_CE = -1V.
9. **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz (typical).
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C.
11. **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the conditions and test parameters outlined in the documentation.