PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor The 2N3905 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola (MOT). Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -60V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -100mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 300
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for general-purpose amplification and switching applications.

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor The 2N3905 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used for general-purpose amplification and switching applications. Below are the key specifications for the 2N3905 transistor:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -60V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -200mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: Typically 100 to 300
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2N3905 transistor and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor The 2N3905 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor Corporation (FSC). Below are the key specifications for the 2N3905 transistor:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -60V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -100mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 300 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the 2N3905 transistor.

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor The 2N3905 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -60V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -200mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2N3905 transistor as provided by Fairchild Semiconductor.