35A silicon controlled rectifier. Vrsom(non-rep) 700V. The 2N3899 is a PNP silicon transistor manufactured by International Rectifier (IR). It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -40V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V
- **Collector Current (I_C):** -1A
- **Power Dissipation (P_D):** 1W
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 120
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N3899 transistor as provided by International Rectifier.