SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS The 2N3809 is a PNP silicon transistor manufactured by Motorola (MOT). Key specifications include:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** -30V
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcbo):** -30V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Vebo):** -5V
- **Maximum Collector Current (Ic):** -0.5A
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 0.8W
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 120
- **Transition Frequency (ft):** 100MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N3809 transistor.

SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS The 2N3809 is a PNP silicon transistor manufactured by Motorola. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Package**: TO-39 Metal Can
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -40V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -1A
- **Power Dissipation (Pd)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 120 (typically 100)
- **Transition Frequency (ft)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N3809 transistor.