HIGH POWER NPN SILICON POWER TRANSISTORS The 2N3772 is a high-power NPN silicon transistor manufactured by ON Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-3
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 140V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 7V
- **Collector Current (I_C)**: 30A
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15-60
- **Transition Frequency (f_T)**: 2 MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N3772 transistor as provided by ON Semiconductor.