HIGH POWER NPN SILICON POWER TRANSISTORS The 2N3771 is a high-power NPN transistor manufactured by RCA, IDI, and Motorola (MOT). It is designed for use in power amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V
- **Collector Current (I_C):** 30A (continuous), 60A (peak)
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C case temperature)
- **DC Current Gain (h_FE):** 15 to 60 (at I_C = 10A, V_CE = 4V)
- **Transition Frequency (f_T):** 1 MHz (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +200°C

The transistor is housed in a TO-3 metal can package, providing robust thermal and mechanical performance. It is commonly used in audio amplifiers, power supplies, and industrial control systems.

HIGH POWER NPN SILICON POWER TRANSISTORS The 2N3771 is a high-power NPN transistor manufactured by ON Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-3
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 40V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 30A (continuous)
- **Base Current (I_B)**: 15A (continuous)
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W (at 25°C case temperature)
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 60 (at I_C = 4A, V_CE = 4V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 2MHz (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -65°C to +200°C
- **Storage Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on the datasheet provided by ON Semiconductor.