Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 The 2N3766 is a silicon PNP transistor. Here are the key specifications from the MOC (Manufacturer's Operating Conditions) for the 2N3766:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** -40V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** -40V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** -5V
- **Collector Current (Ic):** -1.5A
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 200°C
- **Storage Temperature Range (Tstg):** -65°C to +200°C

These specifications are based on the manufacturer's data and represent the maximum ratings under which the device can operate safely.