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2N3735 from Motorola

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2N3735

Manufacturer: Motorola

Leaded Small Signal Transistor General Purpose

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2N3735 Motorola 50 In Stock

Description and Introduction

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N3735 is a PNP silicon transistor manufactured by Motorola. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -1A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39 Metal Can

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N3735 transistor.

Application Scenarios & Design Considerations

Leaded Small Signal Transistor General Purpose# Technical Documentation: 2N3735 NPN Bipolar Junction Transistor

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2N3735 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor primarily employed in  amplification circuits  and  switching applications . Its robust construction and reliable performance make it suitable for:

-  Audio Amplification Stages : Used in pre-amplifier and driver stages due to its moderate gain bandwidth product
-  Signal Switching Circuits : Capable of handling moderate-speed switching operations in control systems
-  Impedance Matching : Employed in buffer circuits to match high-impedance sources to lower-impedance loads
-  Driver Stages : Powers relays, LEDs, and small motors in industrial control systems

### Industry Applications
 Industrial Automation : 
- Motor control circuits
- Sensor interface modules
- Relay driving applications
- Process control systems

 Consumer Electronics :
- Audio equipment amplification stages
- Power supply regulation circuits
- Signal conditioning modules

 Telecommunications :
- RF amplification in low-frequency transceivers
- Signal processing circuits
- Interface protection circuits

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  High Current Handling : Capable of sustaining 1A continuous collector current
-  Good Thermal Stability : TO-39 package provides excellent heat dissipation
-  Wide Voltage Range : Maximum VCEO of 60V supports various circuit configurations
-  Cost-Effective : Economical solution for general-purpose applications

 Limitations :
-  Frequency Constraints : Limited to applications below 100MHz due to transition frequency
-  Power Dissipation : Maximum 5W power dissipation restricts high-power applications
-  Beta Variation : DC current gain (hFE) ranges from 40-120, requiring careful circuit design
-  Aging Effects : Gradual parameter drift over extended operational periods

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues :
-  Pitfall : Inadequate heat sinking leading to thermal runaway
-  Solution : Implement proper heat sinking and derate power specifications by 20% for reliability

 Beta Dependency :
-  Pitfall : Circuit performance variations due to hFE spread
-  Solution : Design circuits to be beta-independent or implement feedback stabilization

 Saturation Voltage Concerns :
-  Pitfall : Excessive voltage drop in switching applications
-  Solution : Ensure adequate base drive current (IB ≥ IC/10) for proper saturation

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility :
- Requires minimum 10mA base drive current for full saturation
- Compatible with standard TTL and CMOS logic outputs
- May require interface circuits when driven from low-current sources

 Load Matching Considerations :
- Optimal performance with collector loads between 10Ω and 1kΩ
- Inductive loads require snubber circuits for protection
- Capacitive loads may require series resistance to prevent oscillation

### PCB Layout Recommendations

 Thermal Management :
- Provide adequate copper area for heat dissipation
- Use thermal vias when mounting on PCB
- Maintain minimum 2mm clearance from heat-sensitive components

 Signal Integrity :
- Keep base drive circuits compact to minimize parasitic inductance
- Route collector and emitter traces with sufficient width for current carrying capacity
- Implement ground planes for improved noise immunity

 Placement Guidelines :
- Position away from heat-generating components
- Ensure proper orientation for automated assembly
- Provide test points for critical parameters during prototyping

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Absolute Maximum Ratings :
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 60V
- Collector-Base Voltage (VCBO): 80V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5.0V
- Collector Current (IC): 1A continuous

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2N3735 MOT 50 In Stock

Description and Introduction

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N3735 is a PNP silicon transistor manufactured by Motorola (MOT). It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1A
- **Power Dissipation (PD):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 120
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

The transistor is housed in a TO-39 metal can package.

Application Scenarios & Design Considerations

Leaded Small Signal Transistor General Purpose# 2N3735 NPN Silicon Power Transistor Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2N3735 is a medium-power NPN silicon transistor primarily employed in  amplification  and  switching applications  requiring robust performance in industrial environments. Key implementations include:

-  Audio Power Amplification : Operates effectively in Class A/B push-pull configurations for output stages up to 15W
-  Motor Control Circuits : Drives small DC motors (up to 2A continuous current) in industrial automation systems
-  Power Supply Regulation : Serves as series pass element in linear voltage regulators (5-40V range)
-  Relay and Solenoid Drivers : Provides reliable switching for inductive loads with built-in voltage spike protection
-  LED Lighting Systems : Controls high-current LED arrays in industrial lighting applications

### Industry Applications
-  Industrial Automation : PLC output modules, motor controllers, and sensor interface circuits
-  Telecommunications : Line drivers and interface circuits in legacy communication equipment
-  Consumer Electronics : Audio amplifiers in home entertainment systems and power management circuits
-  Automotive Systems : Engine control units (non-critical functions) and accessory power controllers
-  Test and Measurement : Signal conditioning circuits and power supply subsystems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Robust Construction : Metal TO-39 package provides excellent thermal dissipation (150°C maximum junction temperature)
-  High Current Capability : Sustains 2A continuous collector current with 4A peak capability
-  Good Frequency Response : fT of 50MHz enables operation in medium-frequency applications
-  Wide Operating Range : -65°C to +200°C temperature range suits harsh environments
-  Proven Reliability : Established manufacturing process ensures consistent performance

 Limitations: 
-  Moderate Speed : Switching times (tON=35ns, tOFF=250ns) limit high-frequency switching applications
-  Saturation Voltage : VCE(sat) of 1.5V (typical) at IC=1A reduces efficiency in power applications
-  Current Gain Variation : hFE ranges from 20-100, requiring careful circuit design for consistent performance
-  Package Size : TO-39 package occupies significant PCB area compared to modern SMD alternatives
-  Obsolete Status : Being a JEDEC registered device, newer alternatives may offer improved specifications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues: 
-  Pitfall : Inadequate heat sinking leading to thermal runaway at high currents
-  Solution : Implement proper heat sinking (θSA < 15°C/W for full power operation) and use thermal compound

 Stability Problems: 
-  Pitfall : Oscillation in RF applications due to insufficient base termination
-  Solution : Include base stopper resistors (10-47Ω) close to transistor base pin

 Secondary Breakdown: 
-  Pitfall : Device failure when operating near SOA boundaries
-  Solution : Derate power dissipation by 20-30% and implement current limiting circuits

 Storage Time Effects: 
-  Pitfall : Extended turn-off times in switching applications causing cross-conduction
-  Solution : Use Baker clamp circuits or speed-up capacitors in base drive networks

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility: 
- Requires adequate base drive current (IC/hFE) - typically 20-100mA for full saturation
- TTL logic interfaces need level shifting or buffer stages (74LS/HC series insufficient for direct drive)
- CMOS interfaces require additional driver transistors or specialized driver ICs

 Load Compatibility: 
- Inductive loads require flyback diodes (1N400x series) for voltage spike protection
- Capacitive loads need current limiting to prevent excessive inrush

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