1.000W Switching NPN Metal Can Transistor. 50V Vceo, 1.000A Ic, 60 The 2N3725 is a silicon NPN transistor. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 7V
- **Collector Current (I_C)**: 1A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 20 to 120
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N3725 transistor. For precise details, always refer to the manufacturer's datasheet.