1.000W Switching NPN Metal Can Transistor. 30V Vceo, 1.000A Ic, 60 The 2N3724 is a silicon NPN transistor. According to the Motorola Semiconductor Data Book (MOT specifications), the 2N3724 has the following key specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V
- **Collector Current (I_C):** 1A
- **Power Dissipation (P_D):** 1W
- **DC Current Gain (h_FE):** 20 to 120 (typically 40 at I_C = 150mA, V_CE = 10V)
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

These specifications are based on the MOT datasheet for the 2N3724 transistor.

1.000W Switching NPN Metal Can Transistor. 30V Vceo, 1.000A Ic, 60 The 2N3724 is a silicon NPN transistor. The manufacturer FAI (Fairchild Semiconductor) specifies the following key parameters for the 2N3724:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 7V
- **Collector Current (Ic):** 3A
- **Power Dissipation (Pd):** 36W
- **DC Current Gain (hFE):** 20 to 70
- **Transition Frequency (ft):** 50MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the 2N3724 transistor.