SILICON NPN POWER TRANSISTORS The 2N3716 is a silicon NPN power transistor. According to Ic-phoenix technical data files, the manufacturer CENTRAL specifies the following key details for the 2N3716:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 4A
- **Power Dissipation (Pd):** 36W
- **DC Current Gain (hFE):** 20-70
- **Transition Frequency (ft):** 4MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N3716 transistor manufactured by CENTRAL. Always refer to the official datasheet for precise and detailed information.

SILICON NPN POWER TRANSISTORS The 2N3716 is a silicon NPN transistor manufactured by Motorola (MOT). Key specifications include:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce)**: 60V
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb)**: 60V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb)**: 5V
- **Maximum Collector Current (Ic)**: 4A
- **Power Dissipation (Pd)**: 36W
- **DC Current Gain (hFE)**: 20 to 70
- **Transition Frequency (ft)**: 10MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-66

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N3716 transistor.