Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N3703 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used for general-purpose amplification and switching applications. Below are the key specifications for the 2N3703 transistor:

- **Type**: PNP BJT (Bipolar Junction Transistor)
- **Package**: TO-92 (plastic package)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -40V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -500mA (maximum continuous current)
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: Typically ranges from 40 to 250, depending on operating conditions
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on standard operating conditions and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N3703 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by various companies, including FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). According to FSC specifications, the 2N3703 transistor has the following key characteristics:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -40V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -500mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120 (typically)
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on FSC's datasheet for the 2N3703 transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The 2N3703 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the key specifications for the 2N3703:

- **Type**: PNP transistor
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -600mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120 (typically 100 at I_C = -150mA, V_CE = -1V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the 2N3703 transistor.