N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER The 2N3685 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Intersil. Below are the key specifications for the 2N3685:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -60V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -60V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V
- **Maximum Collector Current (I_C)**: -1A
- **Maximum Power Dissipation (P_D)**: 1W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120 (typically)
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39 metal can

These specifications are based on the datasheet provided by Intersil for the 2N3685 transistor.