SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE The part 2SK2356 is a MOSFET transistor manufactured by NEC. It is an N-channel enhancement-mode silicon gate field-effect transistor. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: 5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (typical) at V_GS = 10V, I_D = 5A
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V to 2.5V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 150pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typical)

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.