N-channel enhancement type DMOS The part 2SK2356-Z-E1 is a MOSFET manufactured by NEC. It is an N-channel enhancement-mode silicon field-effect transistor designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** 10A (continuous)
- **Power Dissipation (Pd):** 30W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.025Ω (typical) at Vgs = 10V
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications.