60V SERIES POWER MOSFET The part 2SK2282 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. It is designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Drain Current (I_D)**: 10A
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.035Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1000pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 30ns (typical)
- **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on typical operating conditions at 25°C unless otherwise noted.

60V SERIES POWER MOSFET The part number 2SK2282 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. Below are the specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **Drain Current (Id)**: 3A
- **Power Dissipation (Pd)**: 1W
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.5Ω (typical) at Vgs = 10V
- **Gate Threshold Voltage (Vth)**: 1V to 2.5V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 150pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 40pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 10pF (typical)
- **Package**: TO-92

These specifications are for reference and may vary slightly depending on the datasheet version or specific application conditions.