Silicon N-Channel MOS FET The part number 2SK2225 is a Power MOSFET manufactured by Renesas Electronics. Below are the key specifications for the 2SK2225:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental conditions.

Silicon N-Channel MOS FET # Introduction to the 2SK2225 MOSFET  

The **2SK2225** is a high-power N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for applications requiring efficient switching and amplification. With its robust construction and high voltage tolerance, this component is well-suited for power supply circuits, motor control, and industrial automation systems.  

Key features of the 2SK2225 include a **low on-resistance (RDS(on))**, which minimizes power loss and enhances efficiency, along with a **high drain-source voltage (VDS) rating**, ensuring reliable performance in high-voltage environments. Its fast switching capability makes it ideal for high-frequency applications, while its thermal stability helps maintain performance under demanding conditions.  

Engineers often select the 2SK2225 for its balance of power handling, durability, and cost-effectiveness. Proper heat dissipation is essential when integrating this MOSFET into circuits, as excessive heat can affect performance and longevity.  

Whether used in inverters, DC-DC converters, or audio amplifiers, the 2SK2225 provides a dependable solution for power management needs. Its specifications and performance characteristics make it a versatile choice for both commercial and industrial electronic designs.