VX-2 Series Power MOSFET(500V 20A) **Introduction to the 2SK2197 Electronic Component**  

The **2SK2197** is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-efficiency switching applications. Known for its low on-resistance and fast switching capabilities, this component is commonly used in power supply circuits, motor control systems, and DC-DC converters.  

With a drain-source voltage (V_DSS) rating of **60V** and a continuous drain current (I_D) of **30A**, the 2SK2197 offers robust performance in demanding environments. Its low gate charge and reduced conduction losses make it suitable for high-frequency operations, improving overall system efficiency.  

The MOSFET features a compact **TO-220F** package, ensuring effective heat dissipation while maintaining a small footprint. Engineers often select this component for its reliability, thermal stability, and ability to handle significant power loads with minimal losses.  

Whether used in industrial automation, automotive electronics, or renewable energy systems, the 2SK2197 provides a dependable solution for power management. Its balance of performance, durability, and cost-effectiveness makes it a preferred choice for designers seeking efficient switching solutions.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper implementation in circuit designs.

VX-2 Series Power MOSFET(500V 20A) The part 2SK2197 is a MOSFET transistor manufactured by SHINDENGE. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Drain Current (I_D)**: 5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 5A
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V to 2.5V
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions and limits defined therein.