N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The part 2SK2160 is a Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor (MOSFET) manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgss):** ±20V
- **Drain Current (Id):** 1A
- **Power Dissipation (Pd):** 1W
- **Drain-Source On-Resistance (Rds(on)):** 2.5Ω (max)
- **Input Capacitance (Ciss):** 50pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss):** 15pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 25ns (typ)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The device is typically used in low-power switching applications and is available in a TO-92 package.

N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The part 2SK2160 is a MOSFET transistor manufactured by SANYO. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 600V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 1.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 500pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 100pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 25ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 60ns (typical)
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.